DDR3 메모리의 뒤를 잇는 차세대 메모리, DDR4 규격에 대한 표준안 논의가 본격적으로 시작됐다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)는 여러 협회사의 논의를 거친 후, 2011년 내에 세부 설계 사항을 마무리하고 2012년 생산을 시작할 예정이다.
DDR4 메모리는 기존 DDR3 메모리와 비교해 속도와 전압 등에서 큰 차이를 보일 전망이다. 동작 속도는 최저 2,133MHz에서 최대 4,266MHz에 이르고 전압은 1.1~1.2V 수준으로 속도는 DDR3의 두 배, 전압은 약 30% 가량 낮아졌다.
미국 모듈라 엔지니어링 부사장 빌 게르바시(Bill Gervasi)는 "향후 시스템의 방대한 데이터 전송을 고려한다면 동작 속도는 더욱 빠르게 설정하는 것이 유리할 것"이라며 "전압은 낮추면서 속도를 최대한 높이는 것이 현재 목표"라는 입장을 밝혔다.
당초 DDR4 메모리의 동작 속도는 3,000MHz 선에서 결정될 것으로 예상됐지만 이보다 더 상향 조정됐다. DDR3 메모리의 동작 속도 상승이 예상보다 빠르다는 부분이 크게 작용한 것으로 보인다. 이에 DDR4 최저 동작 속도는 2,133MHz 이하로 설정하지 않는다.
속도와 동작속도가 상승하는 DDR4 메모리는 생산도 36나노미터 또는 32나노미터 미세공정에서 이뤄질 예정이다.
한편 DDR4 메모리는 DDR3의 등장과 같이 성능 자체에 대한 논란에 휩싸일 가능성이 높다. DDR3 메모리가 등장할 당시, DDR2 메모리 대비 램 타이밍이 길어져 속도가 빨라졌어도 데이터 처리 사이클이 길어 성능 향상에 차이가 없을 것이라는 의견이 제기된 바 있다.
메모리 업계는 성능을 위해 몇 가지 방안을 제안하고 있는 것으로 알려졌다. 멀티-레이어 기술 및 여러 메모리 모듈을 동시에 동작할 수 있도록 하는 스위치를 기판에 설치하는 방안이 그것이다.
현재 시장은 DDR2와 DDR3가 공존하고 있는 상황. 업계는 차세대 메모리로의 전환은 DDR3가 DDR2 메모리를 대체한 것보다 더 오래 걸릴 것으로 내다봤다. 시기는 빠르면 2015년, 늦으면 2016년 경에 DDR4 메모리로의 전환이 본격화 될 전망이다.
강형석 기자
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