올해 4분기 선보일 것으로 알려진 인텔의 차세대 SSD(Solid State Drive)가 용량 뿐만 아니라 성능도 대폭 향상될 전망이다.
25nm(나노미터) 공정 기반 새로운 낸드(NAND)플래시를 사용하게 될 인텔의 3세대 SSD는 최대 160GB였던 용량을 무려 600GB까지 끌어 올릴 것으로 알려졌는데, 이번에 성능 및 구체적인 사양 등의 정보가 유출된 것.
하드웨어 전문 사이트 아난드텍(AnandTech)이 공개한 자료에 따르면 인텔 3세대 SSD X25-M 모델의 성능은 지속 읽기/쓰기 성능이 250MB/s 및 170MB/s로, 2세대 X25-M G2(읽기250MB/s, 쓰기 100MB/s)에 비교해 쓰기 성능이 대폭 향상됐다.
랜덤 4K 읽기/쓰기 성능 역시 향상됐는데, 특히 쓰기부문에서는 무려 5배 가까운 성능 향상이 이뤄진 것으로 나타났다. 내구성도 약 4배 가량 향상됐다고.
그 외에도 인텔 3세대 SSD는 ‘파워 세이프 쓰기 캐시(Power safe write cache)’를 적용해 대용량 캐시 사용시 순간적인 전력 저하로 인한 데이터 손실을 방지했으며, 기업용 제품군에나 적용되던 AES-128 암호화 기술도 기본 탑재해 보안성도 강화했다.
그동안 초기 출시 이후 변화가 없었던 기업용 모델 X25-E 시리즈도 상당한 변화가 있을 전망이다.
내년 1분기 선보일 것으로 알려진 신형 X25-E 시리즈는 우선 기존의 50nm SLC 플래시메모리가 25nm eMLC로 바뀌며, 최대 64GB였던 용량도 400GB까지 늘어나게 된다.
3세대 X25-M과 마찬가지로 지속 읽기/쓰기 및 랜덤 4K 읽기/쓰기 성능도 향상됐으며, 파워 세이프 쓰기 캐시 기능 및 AES-128 암호화 기술도 적용된다.
한편, 업계에서는 인텔이 25nm기반 3세대 SSD 제품을 출시하면서 대대적인 가격 인하 등 공격적인 마케팅을 취할 것으로 내다봤다. 샌드포스나 인디링스 등의 신형 컨트롤러를 채택한 경쟁사 제품들을 견제하기 위해서라는 것.
이전에도 인텔은 34nm기반 2세대 SSD(X25-M G2)를 출시할 때 자사 SSD 제품들의 가격을 크게 인하한 바 있다.
최용석 기자
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