삼성전자가 세계 최초로 20나노(nm)급 저전력 DDR2(LPDDR2) 4기가비트(Gb) 모바일 D램을 본격 양산한다.
삼성전자(대표 최지성)는 세계 최초로 20nm급 4Gb LPDDR2 D램 양산에 돌입했다고 16일 밝혔다. 삼성은 이로써 "세계 최고의 초박형·대용량·고성능 모바일 솔루션을 확보했으며, 최소칩 사이즈로 기업 및 모바일 기기 제조사들이 출시하는 시스템에 대응할 수 있게 됐다"고 설명했다.
삼성전자는 20nm급 4Gb 모바일 D램을 4단으로 적층한 16Gb(2GB) 제품은 30nm급 4Gb D램 4단 적층 제품에 비해 두께는 20% 줄었으며, 최대 1,066Mbps 동작 속도에 동일한 소비 전력을 구현했다고 밝혔다.
홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "작년에 업계 최초로 30nm급 4Gb D램 양산으로 4Gb D램 시장을 본격 확대했고 금년에 20nm급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다"며 "올 하반기에는 20nm급 D램 비중을 지속 늘리면서 4Gb D램을 메인 제품으로 자리 잡도록 하여 프리미엄 시장을 선점하고 경쟁력 우위를 더욱 강화해 나갈 것이다"라고 밝혔다.
시장 조사 기관, 아이서플라이에 따르면 4Gb D램은 2011년부터 시장을 확대, 2012년 13%, 2013년 49%, 2014년에는 전체 생산 비중을 63%까지 확대되어 시장의 주력 제품으로 성장할 것으로 전망하고 있다.
삼성전자는 작년 3월 30나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 모바일 메모리를 최대용량인 2GB까지 확대시킨 바 있다.
손경호 기자 sontech@zdnet.co.kr