삼성전자가 10일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)에서 차세대 V낸드 솔루션을 공개했다.
이 자리에서 삼성전자는 기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드를 발표했는데, 4세대 V낸드는 512Gb까지 구현 가능해 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있으며 입출력 속도를 800Mbps까지 향상시켰다. 삼성전자는 4세대 V낸드 기반 솔루션 제품을 올해 4분기에 출시할 예정이다.
삼성전자는 앞서 발표한 4세대 V낸드를 탑재해 16TB인 기존 제품보다 용량을 2배 높인 32TB 서버 SSD를 2017년 중 출시할 예정이며, 2020년까지 100TB이상 초고용량 SSD를 개발해 테라 SSD 대중화를 선도하고 데이터센터와 기업용 스토리지 SSD 시장을 지속 선점한다는 방침이다.
삼성전자는 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발해 1센트 동전 크기의 초소형 '1TB BGA NVMe SSD'를 2017년 내 출시할 예정이다. 연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1500MB/s, 고속 쓰기(Turbo Write) 기술을 적용해 쓰기 속도도 900MB/s 구현이 가능한 것으로 소개되었다. 이 제품은 기존 제품 대비 크기를 50% 이상 줄여 대용량 배터리 탑재 공간 확보 등 울트라 슬림 PC의 디자인 유연성 향상에 기여할 것으로 기대된다.
삼성전자는 이에 더해 NVMe SSD 대비 응답시간은 4배 이상, 연속 읽기속도는 1.6 배 향상, 빅데이터 분석, 서버용 캐시 등 실시간 분석이 요구되는 고성능 시장을 노린 'Z-SSD'를 선보였다. Z-SSD는 V낸드, 컨트롤러 등 최적화된 동작회로를 구성해 스토리지의 성능을 높인 초고성능 하이엔드 SSD 제품으로, 다른 제품들과 마찬가지로 2017년 중 출시할 예정이다.
이상호 기자 / 필명 이오니카 / 