2012년 DDR3 D램이 반도체 시장의 주역으로 떠오를 것이라 예측되는 가운데, 삼성전자가 40나노 공정의 DDR3 D램의 양산화에 돌입했다는 소식이다. 올해 1월 시제품을 선 보인지 6개월여 만의 일이다.
이번에 양산화에 들어간 DDR3 D램은 2GB로 40나노 공정으로 제작됐다. 기존 50나노 공정 제품과 비교했을 때 약 20% 빠른 1.6Gbps의 빠른 속도를 자랑하며, 동작전압도 1.35v로 매우 낮은 편이다.
공정이 낮아지면 그만큼 더 많은 제품을 빠르게 생산해 낼 수 있다. 또한 이번 40나노 공정 채택으로 DDR3 D램 가격은 그만큼 더 낮아질 것으로 예상된다.
삼성은 이번 제품 양산화와 더불어 DDR3시장 확대를 위해 △ 서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM), △ 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM), △ 노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.
DRAM 세계 시장 전망
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구분 (억개) |
08년 |
09년 |
10년 |
11년 |
12년 |
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D램 전체(1Gb) |
88 |
97 |
124 |
176 |
258 |
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DDR3 (1Gb) |
2(3%) |
19(20%) |
70(57%) |
134(76%) |
212(82%) |
(출처: 아이서플라이)
최근 시장 조사기관인 아이서플라이는 DDR3 D램이 전체 D램에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년에는 82%까지 늘어 날 것이라고 발표하기도 했다.
삼성전자에서는 “생산공정을 단순화하고 생산기간을 단축시키는 등 생산효율을 높여 원가경쟁력을 높일 것” 이라고 말하고 있다.
에누리닷컴 미디어팀 김재홍 기자